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BSZ520N15NS3GATMA1  与  BSC520N15NS3 G  区别

型号 BSZ520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3 G
唯样编号 A-BSZ520N15NS3GATMA1 A-BSC520N15NS3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52mΩ
Ciss - 670.0 pF
Rth - 2.2 K/W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 75V -
Coss - 80.0pF
栅极电压Vgs - 3V,2V,4V
封装/外壳 8-PowerTDFN SuperSO8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 21A
QG (typ @10V) - 8.7 nC
Ptot max - 57.0W
QG - 8.7nC
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 18A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 8V,10V -
IDpuls max - 84.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.4
技术 MOSFET(金属氧化物) -
RoHS compliant - yes
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 150V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 35uA -
系列 - OptiMOS™
Ptot max - 57.0 W
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 150V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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